2N7002ET1G N沟道MOSFET 60V 260mA/0.26A SOT-23/SC-59 marking/标记 703 低漏源导通电阻
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 260mA/0.26A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.86Ω/Ohm @240mA,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1-2.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 300mW/0.3W |
| Description & Applications | SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) High density cell design for low RDS(ON). Suitable for high packing density. |
| 描述与应用 | 表面贴装 N沟道增强型场效应晶体管 特性 N沟道增强型场效应晶体管 小型表面贴装型。 （SC-70/SOT-323） 高密度单元设计的低漏源导通电阻）。 适用于高包装密度。 |
| 规格书PDF |
