SI2314EDS N沟道MOSFET 20V 4.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 C4z6a 低导通电阻。
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 12V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 4.9A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.033Ω/Ohm @5A,4.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.45V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1.25W |
| Description & Applications | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET ESD Protected: 3000 V |
| 描述与应用 | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 功率MOSFET ESD保护：3000 V |
| 规格书PDF |
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