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FZT755TA PNP三极管 -150V -1A 30MHz 50~300 -500mV/-0.5V SOT-223 marking/标记 FZT755 低饱和电压

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-150V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−150V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)-1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 30MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)50~300
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage−500mV/-0.5V
耗散功率PcPoWer Dissipation2W
Description & ApplicationsPNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES Low saturation voltage Excellent hFE COMPLEMENTARY TYPE FZT655
描述与应用PNP硅平面中等功率晶体管 特点 低饱和电压 优秀HFE 互补型FZT655
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