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PH5030AL N沟道MOSFET 30V 64A SOT-669 marking/标记 5030AL 硅栅高速开关/低驱动

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current64A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation61W
Description & ApplicationsN-channel TrenchMOS™ logic level FET
描述与应用N沟道的TrenchMOS™逻辑电平FET
规格书PDF
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