UP04116G08SO 复合带阻尼PNP三极管 -50V -100mA HEF=160~460 R1=4.7KΩ SOT563 代码 6U
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-100MA |
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 4.7KΩ |
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | |
基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
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直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
160~460 |
截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
80MHZ |
耗散功率Pc Power Dissipation |
125MW |
描述与应用 Description & Applications |
开关/数字电路
两个元素纳入一个包
(晶体管内置电阻)
减少一半的安装面积和组装成本
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