CPH5803 N沟道场效应管+肖特基二极管 SOT153 代码 QD
| 场效应管类型 | N沟道 |
| MOS最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
20V |
| MOS最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
10V |
| MOS最大漏极电流Id Drain Current |
1.5A |
| MOS源漏极导通电阻Rds(on) FET Drain-Source On-State Resistance |
ID=1A, VGS=4V RDS=160mΩ~210mΩ
ID=0.5A, VGS=2.5V RDS=200mΩ~280mΩ
ID=0.1A, VGS=1.8V RDS=280mΩ~390mΩ
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| MOS开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
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| 二极管类型 | Schottky Barrier Diode |
| DIODE反向电压Vr Reverse Voltage |
15V |
| DIODE平均整流电流Io Average Rectified Current |
1A |
| DIODE最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) |
0.4V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
0.8W |
| 描述与应用 Description & Applications |
直流/直流转换器的应用程序
(MOSFET)
低导通电阻。
超高速切换。
1.8 v驱动。
(肖特基二极管)
反向恢复时间短。
低正向电压。
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