SSM6J503NU P沟道MOS场效应管 -20V -600mA 0.0277ohm Vth:-0.8--1.0V UDFN6B marking/标记 SP3 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -600mA/-0.6A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.0277Ω @-3A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.8--1.0V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 1W |
| Description & Applications | Power Management Switch Applications • 1.5V drive • Low ON-resistance: RDS(ON)= 89.6 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON)= 57.9 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 41.7 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 32.4 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) |
| 描述与应用 | 电源管理开关应用 •1.5V驱动 •低导通电阻RDS（ON）=89.6MΩ（最大）（@ VGS=-1.5 V） RDS（ON）=57.9毫欧（最大值）（@ VGS=-1.8 V） RDS（ON）=41.7MΩ（最大（@ VGS=-2.5 V） RDS（ON）=32.4MΩ（最大）（@ VGS=-4.5 V） |
| 规格书PDF |
