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RN2106F 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 80 0.1W/100mW SOT-523/ESM 标记YF 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)-100mA/-0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)4.7KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)47KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio0.1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)80
截止频率fT Transtion Frequency(fT)200MHz
耗散功率Pc Power Dissipation0.1W/100mW
Description & ApplicationsFeatures • Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) • With built-in bias resistors • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process • Complementary to RN1101F~RN1106F Applications • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
描述与应用特点 •晶体管的硅PNP外延型(PCT工艺) •借助内置的偏置电阻 •简化电路设计 •减少了部件数量和制造工艺 •互补到RN1101F〜RN1106F的 应用 •开关,逆变电路,接口电路和驱动器电路应用
规格书PDF
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