我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

2N7002DW 复合场效应管 60 115mA/0.115A SOT-363/SC70-6 marking/标记 702 快速开关 双N沟道

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current115mA/0.115A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance7.5Ω@ VGS = 4.5V,ID = 75mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage1~2.5V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & Applications60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES • Advanced Trench Process Technology • High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance • Specially Designed for Battery Operated Systems, Solid-State Relays Drivers : Relays, Displays, Lamps, Solenoids, Memories, etc. • In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
描述与应用60V N沟道增强型MOSFET 特点 •先进沟道工艺技术 •高密度电池设计超低导通电阻 •专为电池供电系统,固态继电器驱动:继电器,显示器,灯,电磁阀,记忆等 •符合欧盟RoHS指令2002/95/EC指令
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00