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2SK0664/2SK664 MOSFET N沟道场效应管 Vds= 50v Id=100MA/0.1A 代码/MARKING 3N

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产品描述
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage
 50V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage
 8V
最大漏极电流Id
Drain Current
 100MA/0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
 50Ω
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage
 
耗散功率P
Power dissipation
 150MW/0.15W
描述与应用
Description & Applications
 
规格书PDF
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