2SC6126 高速开关NPN三极管 120V 3A HEF=100~400 SOT89 代码 4M
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 120V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 3A |
截止频率fTTranstion Frequency(fT) | |
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 100~400 |
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.18V |
耗散功率PcPower Dissipation | 1.0~2.5W |
Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. High-Speed Switching Applications. DC-DC Converter Applications. LCD Backlighting Applications. *High DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC= 0.3 A). * Low collector-emitter saturation: VCE(sat) = 0.18 V (max). * High-speed switching: tf = 40 ns (typ.). |
描述与应用 | 东芝晶体管NPN硅外延型。 高速开关应用。 DC-DC转换器应用。 LCD背光应用。 *高直流电流增益:HFE=250〜400(IC= 0.3 A)。 *低集电极 - 发射极饱和:VCE(星期六)= 0.18 V(最大值)。 *高速开关:TF=40 ns(典型值)。 |
规格书PDF |