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SSM3K15ACT N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A CST3 marking/标记 DI

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance2.3Ω @-10mA,-4V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.8--1.5V
耗散功率PdPower Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsLoad Switching Applications • 2.5 V drive • Low ON-resistance: RDS(ON) = 3.6 Ω (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
描述与应用负载开关应用 •2.5 V驱动器 •低导通电阻RDS(ON)=3.6Ω(最大值)(@ VGS=4 V) RDS(ON)=6.0Ω(最大值)(@ VGS=2.5 V)
规格书PDF
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