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XP152A11E5MR P沟道MOS场效应管 -30V -0.7A 0.20ohm SOT-23 marking/标记 211 超高速开关 低导通电阻 内置栅极保护二极管

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-700mA/-0.7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.20Ω @-400mA,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.0--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsFEATURES Low On-State Resistance : Rds(on) = 0.25Ω@ Vgs = -10V Rds(on) = 0.45Ω@ Vgs = -4.5V Ultra High-Speed Switching Gate Protect Diode Built-in Driving Voltage : -4.5V P-Channel Power MOSFET DMOS Structure Small Package : SOT-23
描述与应用低导通电阻:RDS(ON)=0.25Ω@ VGS=-10V 的Rds(on)=0.45Ω@ VGS=-4.5V 超高速开关 内置栅极保护二极管 驱动电压:-4.5V P沟道功率MOSFET DMOS结构式 小封装:SOT-23
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