SI1917EDH 双p沟道MOSFET -12V -1.15A SOT363 代码 DBW
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
-12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
±12V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
-1.15A |
| 源漏极导通电阻Rds(on) FET Drain-Source On-State Resistance |
VGS = –1.8 V, ID = –0.2 A RDS=0.066~0.8Ω |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45v |
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
0.73W |
| 描述与应用 Description & Applications |
双p沟道12 v(d - s)MOSFET
TrenchFET功率场效应管:1.8 - v级
ESD保护:3000 V
负荷开关
PA开关
电平开关
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