HN4C51J NPN+NPN 120V 0.1A 100MHZ HEF=200~700 SOT153 代码 33
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
120V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
0.1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
100MHZ |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
200~700 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.3V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
0.3W |
| 描述与应用 Description & Applications |
特点•东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程）•高电压：VCEO=120V•高HFE：HFE=200〜700•优异的线性度：（IC=0.1毫安）/ HFE（IC=2毫安）=0.95（典型值）•低噪音：NF=1分贝（典型值）•音频通用放大器应用 |
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