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2SK3719 N沟道结型场效应管 20v 0.21~0.35mA SOT-523 marking/标记 BH 阻抗变换器

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage 20v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current 0.21~0.35ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.37~-1v
耗散功率PdPower Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM FEATURES • High gain −0.5 dB (VDS = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 kΩ) • Low noise −109 dB (VDS = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 kΩ) • Super thin thickness package t = 0.37 mm TYP.
描述与应用 N-沟道硅结型场效应晶体管 流脑的阻抗变换器 特点 •高增益 -0.5分贝(VDS=2.0 V,C =5 pF的,RL=2.2kΩ的) •低噪音 -109分贝(VDS=2.0 V,C =5 pF的,RL=2.2kΩ上) •超薄厚度包  T =0.37毫米TYP。
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