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TPCF8105 P沟道场效应管 -20V -6A SOT23-8 代码 F3E 增强型 低漏电流 低漏源电阻

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流IdDrain Current -6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 0.024Ω @-3A,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage -0.5--1.2V
耗散功率PdPower Dissipation 2.5W
Description & Applications Small footprint due to a small and thin package Low drain-source on-resistance: RDS(ON)= 24 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V) Low leakage current: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -20 V) Enhancement mode: Vth = -0.5 to -1.2 V (VDS = -10 V, ID = -0.5 mA)
描述与应用 由于占地面积小,小而薄的封装 低漏源电阻RDS(ON)= 24m(典型值)(VGS=-4.5 V) 低漏电流:IDSS= -10μA(最大)(VDS=-20 V) 增强模式:VTH =-0.5〜-1.2 V(VDS=-10 V,ID=-0.5毫安)
规格书PDF
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