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2SK3342 P沟道场效应管 250V 4.5A TO252 代码 K3342 增强型 开关稳压器和DC-DC转换 低漏源导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage 250V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage ±20V
最大漏极电流IdDrain Current 4.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 0.8Ω~1.0Ω (VGS = 10 V, ID = 2.5 A)
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
耗散功率PdPower Dissipation 20W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π−MOSIII). Switching Regulator and DC-DC Converter Applications. Motor Drive Applications. *Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.8 Ω (typ.). * High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.5 S (typ.). * Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 250 V). * Enhancement mode : Vth = 1.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA).
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型(π-MOSIII)。 开关稳压器和DC-DC转换器应用。 电机驱动应用。 *低漏源导通电阻RDS(ON)= 0.8Ω(典型值)。 *较强的正向转移导纳:YFS|=4.5 S(典型值)。 *低漏电流:IDSS= 100μA(最大值)(VDS=250 V)。 *增强模式:VTH =1.5〜3.5 V(VDS=10V,ID= 1毫安)。
规格书PDF
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