MMBF170 N 沟道场效应管 60V 500MA SOT23 代码 6Z 小信号电压控制开关
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
500MA |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State |
VGS = 10V, ID = 200mA RDS=1.5~5Ω |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
0.8~3v |
| 耗散功率Pd Power dissipation |
300mw |
| 描述与应用 Description & Applications |
n沟道增强型场效应晶体管
■高密度细胞设计低RDS(上)。
■小信号电压控制开关。
■坚固和可靠的。
■高饱和电流的能力。
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| 规格书PDF |
