TPCP8006 N沟道场效应管 20V 9.1A PS-8 代码 8006 低漏源极导通电阻 低漏电流
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
±12V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
9.1A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State |
VGS = 2.5 V, ID = 4.5 A RDS=9.5~13.7mΩ
VGS = 4.5 V, ID = 4.5 A RDS=6.5~10mΩ
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| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
0.5~1.2v |
| 耗散功率Pd Power dissipation |
0.84w |
| 描述与应用 Description & Applications |
东芝硅n沟道MOS场效应晶体管类型(U-MOS IV)
笔记本电脑的应用
便携式设备的应用程序
低漏源极导通电阻:RDS(ON)= 6.5 mΩ(typ)。
高向前转移导纳:| yfs | = 36s(typ)。
低漏电流:IDSS = 10μA(max)(VDS = 20 V)
增强模式:Vth = 0.5~1.2 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
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| 规格书PDF |
