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CES2324 n沟道增强型场效应晶体管 20V 4.2A SOT23 代码 248R

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产品描述
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage
 20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage
 12V
最大漏极电流Id
Drain Current
 4.2A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
 RDS(ON)= 45mΩ @VGS = 4.5V.
 RDS(ON)= 80mΩ @VGS = 2.5V.
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage
 0.5V~1.5V
耗散功率Pd
Power dissipation
 1.25W
描述与应用
Description & Applications
 n沟道增强型场效应晶体管
  高致密细胞设计极低的RDS(上)。
规格书PDF
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