CES2324 n沟道增强型场效应晶体管 20V 4.2A SOT23 代码 248R
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
4.2A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State |
RDS(ON)= 45mΩ @VGS = 4.5V.
RDS(ON)= 80mΩ @VGS = 2.5V.
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| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
0.5V~1.5V |
| 耗散功率Pd Power dissipation |
1.25W |
| 描述与应用 Description & Applications |
n沟道增强型场效应晶体管
高致密细胞设计极低的RDS(上)。
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| 规格书PDF |
