HB6N0130FE 复合MOS管 双N沟道 30V 100mA SOT-563F 特价
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
100MA |
| 源漏极导通电阻Rds(on) FET Drain-Source On-State Resistance |
Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V)
Ron = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
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| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
0.8~1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
0.15W |
| 描述与应用 Description & Applications |
高速开关应用
模拟开关应用
低导通电阻
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