CFB0301-000T 高动态范围低噪声的GaAs FET SO86 十字架
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
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栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage |
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漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current |
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关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage |
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耗散功率Pd Power dissipation |
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描述与应用 Description & Applications |
高动态范围低噪声的GaAs FET
产品特点
❏低噪声系数从0.8到2.0 GHz的
❏高增益
❏高截取点
❏高度稳定
❏轻松匹配50Ω
❏70万包
应用
❏蜂窝基站
❏PCS基站
❏工业数据网络
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规格书PDF |