N沟道MOS场效应管 -20V 180mA 1.5ohm SOT-723 marking/标记 K2 高速开关 模拟开关 1.2V驱动 低导通电阻
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -180mA/-0.18A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 1.5Ω @-50mA,-4V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | 0.4-1.0V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications • 1.2 V drive • Low ON-resistance : Ron = 20 Ω (max) (@VGS = 1.2 V) Ron = 8 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 4 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 3 Ω (max) (@VGS = 4.0 V) |
| 描述与应用 | 高速开关应用 模拟开关应用 •1.2 V驱动器 •低导通电阻：RON =20Ω（最大值）（@ VGS= 1.2 V） RON =8Ω（最大）（@ VGS=1.5 V） RON =4Ω（最大）（@ VGS=2.5 V） RON =3Ω（最大）（@ VGS=4.0 V） |
| 规格书PDF |
