| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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HYG032N08NS1B6 1个N沟道 80V 200A 2.5mΩ@10V
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HYG032N08NS1B6
标记：
封装：TO-263-6L
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HUAYI(华羿微) |
批号：
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10
起订 |
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HYG025N06LS2P 60V 182A 5.2mΩ@4.5V 230.8W
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HYG025N06LS2P
标记：
封装：TO-220FB-3L
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HUAYI(华羿微) |
批号：
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10
起订 |
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HY3810B6 1个N沟道 100V 218A 4.4mΩ@10V
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HY3810B6
标记：
封装：TO-263-6
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HUAYI(华羿微) |
批号：
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10
起订 |
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HXY3400AI 1个N沟道 30V 5.8A 30mΩ@10V
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HXY3400AI
标记：
封装：SOT-23
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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10
起订 |
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BSS7728NH6327 1个N沟道 60V 200mA 5Ω@10V
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BSS7728NH6327
标记：
封装：SOT-23
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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10
起订 |
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BSS123IXTSA1 1个N沟道 100V 190mA 6Ω@10V
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BSS123IXTSA1
标记：
封装：SOT-23
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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10
起订 |
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HXY3407MI 1个P沟道 30V 4.1A 55mΩ@10V
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HXY3407MI
标记：
封装：SOT-23-3L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
|
10
起订 |
