| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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SQ3426EEV-T1-GE3-VB 1个N沟道 60V 7A 35mΩ@4.5V
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SQ3426EEV-T1-GE3-VB
标记：
封装：TSOP-6
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
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100
起订 |
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Si3459BDV-T1-GE3-VB 1个P沟道 60V 3.5A 2W
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Si3459BDV-T1-GE3-VB
标记：
封装：SOT-23-6
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
|
100
起订 |
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FDC5612-VB 1个N沟道 60V 7A 5W
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FDC5612-VB
标记：
封装：SOT-23-6
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
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100
起订 |
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MCH3476-VB 20V 4A 48mΩ@2.5V 2.8W
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MCH3476-VB
标记：
封装：SC-70-3
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
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100
起订 |
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RU1C002ZPTCL-VB 20V 3.1A 100mΩ@2.5V 500mW
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RU1C002ZPTCL-VB
标记：
封装：SC-70-3
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
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100
起订 |
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Y201232768KDCCX
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Y201232768KDCCX
标记：
封装：SMD2012
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JLYE(晶力源) |
批号：
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100
起订 |
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S1C98156UWGAC 直插晶振 9.81563MHz ±20ppm 15pF
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S1C98156UWGAC
标记：
封装：HC-49S
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JYJE(晶友嘉) |
批号：
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100
起订 |
