| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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IPD12CN10NGATMA1 1个N沟道 100V 67A 12.4mΩ@10V
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IPD12CN10NGATMA1
标记: 封装:TO-252-3
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Infineon(英飞凌) |
批号:
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100 起订 |
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IPD60R2K0PFD7S 1个N沟道 650V 1.9A 2Ω@10V
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IPD60R2K0PFD7S
标记: 封装:TO-252-3
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Infineon(英飞凌) |
批号:
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100 起订 |
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IPD30N12S3L-31 1个N沟道 120V 30A 31mΩ@10V
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IPD30N12S3L-31
标记: 封装:TO-252-3
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Infineon(英飞凌) |
批号:
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100 起订 |
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IPD12CN10NGATMA1 1个N沟道 100V 67A 12.4mΩ@10V
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IPD12CN10NGATMA1
标记: 封装:TO-252-3
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Infineon(英飞凌) |
批号:
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100 起订 |
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SIHF540STRL-GE3-JSM 100V 35A 38mΩ@10V 130W
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SIHF540STRL-GE3-JSM
标记: 封装:TO-263-2L
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JSMSEMI(杰盛微) |
批号:
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100 起订 |
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LND10N65 1个N沟道 650V 10A 4V
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LND10N65
标记: 封装:TO-220F-3
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LONTEN(龙腾半导体) |
批号:
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100 起订 |
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IRF5305PBF-JSM 60V 35A 55mΩ@10V 110W
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IRF5305PBF-JSM
标记: 封装:TO-220-3L
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JSMSEMI(杰盛微) |
批号:
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100 起订 |