| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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SIR464DP-T1-GE3-HXY 1个N沟道 30V 150A 2.4mΩ@10V
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SIR464DP-T1-GE3-HXY
标记：
封装：DFN-8L(5x6)
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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101
起订 |
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BSZ160N10NS3G 1个N沟道 100V 8A 16mΩ@10V
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BSZ160N10NS3G
标记：
封装：TSDSON-8(3.3x3.3)
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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101
起订 |
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MP40N20 1个N沟道 200V 40A 50mΩ@10V
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MP40N20
标记：
封装：TO-220
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minos(迈诺斯) |
批号：
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101
起订 |
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MPG90N08P 1个N沟道 80V 90A 9mΩ@10V
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MPG90N08P
标记：
封装：TO-220
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minos(迈诺斯) |
批号：
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101
起订 |
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VBA1104N 1个N沟道 100V 9A 32mΩ@10V
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VBA1104N
标记：
封装：SO-8
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
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101
起订 |
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IRLR8726TRPBF-VB 1个N沟道 30V 35.8A 3.75W
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IRLR8726TRPBF-VB
标记：
封装：TO-252
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
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101
起订 |
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IPD100N04S4-02-VB 1个N沟道 40V 120A 3.13W
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IPD100N04S4-02-VB
标记：
封装：TO-252
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
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101
起订 |
