| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
|
HTK11S10N1L 100V 30A 48mΩ@10V 42W
|
HTK11S10N1L
标记：
封装：TO-252-2L
|
HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
|
102
起订 |
|
HNTD6414ANT4G 1个N沟道 100V 30A 43mΩ@10V
|
HNTD6414ANT4G
标记：
封装：TO-252-2L
|
HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
|
102
起订 |
|
IPP60R180CM8XKSA1 600V 19A 180mΩ@10V 142W
|
IPP60R180CM8XKSA1
标记：
封装：TO-220-3
|
Infineon(英飞凌) |
批号：
|
102
起订 |
|
RSF60R099W 1个N沟道 600V 31A 86mΩ@10V
|
RSF60R099W
标记：
封装：TO-247
|
REASUNOS(瑞森半导体) |
批号：
|
102
起订 |
|
SVF23N50PN 1个N沟道 500V 23A 210mΩ@10V
|
SVF23N50PN
标记：
封装：TO-3P-3
|
SILAN(士兰微) |
批号：
|
102
起订 |
|
SL11N65CD 1个N沟道 650V 11A 87W
|
SL11N65CD
标记：
封装：TO-252
|
Slkor(萨科微) |
批号：
|
102
起订 |
|
AP9971GI-VB 1个N沟道 60V 45A 27mΩ@10V
|
AP9971GI-VB
标记：
封装：TO-220F-3
|
VBsemi(微碧半导体) |
批号：
|
102
起订 |
