| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
|
HSTD20NF06LAG 60V 20A 32mΩ@10V 34.7W
|
HSTD20NF06LAG
标记: 封装:TO-252-2L
|
HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号:
|
109 起订 |
|
IPB200N25N3G 1个N沟道 250V 64A 20mΩ@10V
|
IPB200N25N3G
标记: 封装:TO-263-3
|
Infineon(英飞凌) |
批号:
|
109 起订 |
|
FDMC3612-VB 100V 50A 10mΩ@10V 60W
|
FDMC3612-VB
标记: 封装:DFN-8-EP(3x3)
|
VBsemi(微碧半导体) |
批号:
|
109 起订 |
|
RFD16N06LESM-VB 1个N沟道 60V 45A 3V
|
RFD16N06LESM-VB
标记: 封装:TO-252
|
VBsemi(微碧半导体) |
批号:
|
109 起订 |
|
CEU6336-VB 1个N沟道 60V 45A 25mΩ@10V
|
CEU6336-VB
标记: 封装:TO-252-2
|
VBsemi(微碧半导体) |
批号:
|
109 起订 |
|
MJE15034G NPN 8A 350V 30MHz
|
MJE15034G
标记: 封装:TO-220C
|
SPTECH(深圳质超) |
批号:
|
109 起订 |
|
2SC4552 NPN 15A 60V 30W
|
2SC4552
标记: 封装:TO-220F
|
SPTECH(深圳质超) |
批号:
|
109 起订 |