| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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CMP110N06L 1个N沟道 60V 110A 7.5mΩ@10V
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CMP110N06L
标记：
封装：TO-220
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Cmos(广东场效应半导体) |
批号：
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124
起订 |
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HCSD19537Q3 100V 75A 7.5mΩ@10V 97W
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HCSD19537Q3
标记：
封装：DFN-8L(5x6)
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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124
起订 |
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BSV236SPH6327 1个P沟道 20V 1.5A 175mΩ@4.5V
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BSV236SPH6327
标记：
封装：SOT-363-6
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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124
起订 |
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IPW60R160C6 1个N沟道 650V 23.8A 160mΩ@10V
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IPW60R160C6
标记：
封装：TO-247-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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124
起订 |
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SIA108DJ-T1-GE3 1个N沟道 80V 12A 46mΩ@7.5V
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SIA108DJ-T1-GE3
标记：
封装：PowerPAK-SC-70-6
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VISHAY(威世) |
批号：
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124
起订 |
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8132S-25.000MQ33DTL 25MHz ±0.5ppm 削峰正弦波 3.3V
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8132S-25.000MQ33DTL
标记：
封装：SMD3225-4P
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HCI(杭晶) |
批号：
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124
起订 |
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NL17SZ14DFT2G 施密特触发器 1.65V~5.5V 1uA 1
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NL17SZ14DFT2G
标记：
封装：SOT-353
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onsemi(安森美) |
批号：
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1240
起订 |
