| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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CMD90R900D 1个N沟道 900V 9A 900mΩ@10V
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CMD90R900D
标记：
封装：TO-252
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Cmos(广东场效应半导体) |
批号：
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127
起订 |
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HSIR882DPT1GE3 1个N沟道 100V 75A 7.5mΩ@10V
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HSIR882DPT1GE3
标记：
封装：DFN-8L(5x6)
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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127
起订 |
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BSC500N20NS3GATMA1 1个N沟道 200V 24A 50mΩ@10V
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BSC500N20NS3GATMA1
标记：
封装：TDSON-8
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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127
起订 |
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IRF520NPBF 1个N沟道 100V 9.7A 200mΩ@10V
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IRF520NPBF
标记：
封装：TO-220AB
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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127
起订 |
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MJF08N70 1个N沟道 700V 8A 600mΩ@10V
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MJF08N70
标记：
封装：TO-220F
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MP(美禄科技) |
批号：
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127
起订 |
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STP10N80K5 1个N沟道 800V 9A 470mΩ@10V
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STP10N80K5
标记：
封装：TO-220
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ST(意法半导体) |
批号：
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127
起订 |
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STT5N2VH5 1个N沟道 20V 5A 40mΩ@2.5V
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STT5N2VH5
标记：
封装：SOT-23-6L
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ST(意法半导体) |
批号：
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127
起订 |
