| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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BMW60N026UC1 1个N沟道 600V 102A 26mΩ@10V
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BMW60N026UC1
标记：
封装：TO-247-3
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Bestirpower(萃锦半导体) |
批号：
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129
起订 |
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IRFR1018EPBF-HXY 1个N沟道 60V 80A 8.3mΩ@10V
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IRFR1018EPBF-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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129
起订 |
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IRF1010ZSTRLPBF 55V 75A 7.5mΩ@10V
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IRF1010ZSTRLPBF
标记：
封装：D2PAK
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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129
起订 |
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RS60R070W 1个N沟道 600V 47A 60mΩ@10V
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RS60R070W
标记：
封装：TO-247-3L
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REASUNOS(瑞森半导体) |
批号：
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129
起订 |
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SiA929DJ-T1-GE3-VB 2个P沟道 30V 5.4A 2.8W
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SiA929DJ-T1-GE3-VB
标记：
封装：DFN-6(2x2)
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
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129
起订 |
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TPS1100DRG4-VB 1个P沟道 12V 16A
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TPS1100DRG4-VB
标记：
封装：SOIC-8
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
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129
起订 |
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P5504EDG-VB 1个P沟道 40V 50A 136W
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P5504EDG-VB
标记：
封装：TO-252-2
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
|
129
起订 |
