| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
|
AON6382 1个N沟道 30V 2.2mΩ@10V 1.3V
|
AON6382
标记：
封装：DFN-8(5.2x5.9)
|
AOS |
批号：
|
133
起订 |
|
CMSC019N03LS 1个N沟道 30V 50A 1.9mΩ@10V
|
CMSC019N03LS
标记：
封装：DFN-8(3.3x3.3)
|
Cmos(广东场效应半导体) |
批号：
|
133
起订 |
|
CMSA50DN04 2个N沟道 40V 50A 8.2mΩ@10V
|
CMSA50DN04
标记：
封装：DFN-8(5x6)
|
Cmos(广东场效应半导体) |
批号：
|
133
起订 |
|
HY1707P 1个N沟道 70V 80A 7mΩ@10V
|
HY1707P
标记：
封装：TO-220FB
|
HUAYI(华羿微) |
批号：
|
133
起订 |
|
BUK7240-100A-HXY 1个N沟道 100V 30A 55mΩ@4.5V
|
BUK7240-100A-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
|
HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
|
133
起订 |
|
ISP16DP10LMXTSA1 1个P沟道 100V 3.9A 160mΩ@10V
|
ISP16DP10LMXTSA1
标记：
封装：SOT-223-4
|
Infineon(英飞凌) |
批号：
|
133
起订 |
|
IPD60R650CE 1个N沟道 650V 9.9A 650mΩ@10V
|
IPD60R650CE
标记：
封装：TO-252-3
|
Infineon(英飞凌) |
批号：
|
133
起订 |
