| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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CMSA012N04L 1个N沟道 40V 180A 1.6mΩ@4.5V
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CMSA012N04L
标记：
封装：DFN-8(5x6)
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Cmos(广东场效应半导体) |
批号：
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141
起订 |
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BSC109N10NS3G-HXY 1个N沟道 100V 75A 9.2mΩ@10V
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BSC109N10NS3G-HXY
标记：
封装：DFN-8L(5x6)
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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141
起订 |
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CMD5950-HXY 1个P沟道 100V 30A 57.5mΩ@10V
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CMD5950-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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141
起订 |
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IPD30N10S3L34-HXY 1个N沟道 100V 30A 48mΩ@10V
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IPD30N10S3L34-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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141
起订 |
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IRFH5015TRPBF 1个N沟道 150V 10A；56A 31mΩ@10V
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IRFH5015TRPBF
标记：
封装：PQFN-8(5x6)
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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141
起订 |
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MDD12N65F 1个N沟道 650V 12A 640mΩ@10V
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MDD12N65F
标记：
封装：TO-220F
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MDD(辰达半导体) |
批号：
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141
起订 |
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MJD11N65 1个N沟道 650V 11A 350mΩ@10V
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MJD11N65
标记：
封装：TO-252
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MP(美禄科技) |
批号：
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141
起订 |
