| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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CMB110N08B 1个N沟道 80V 110A 6.5mΩ
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CMB110N08B
标记：
封装：TO-263
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Cmos(广东场效应半导体) |
批号：
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142
起订 |
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GT105N10K 1个N沟道 100V 60A 10.5mΩ@10V
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GT105N10K
标记：
封装：TO-252
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GOFORD(谷峰) |
批号：
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142
起订 |
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IPP80R360P7 1个N沟道 800V 13A 360mΩ@10V
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IPP80R360P7
标记：
封装：TO-220-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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142
起订 |
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FDN537N 1个N沟道 30V 6.5A 36mΩ@4.5V
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FDN537N
标记：
封装：SOT-23-3
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onsemi(安森美) |
批号：
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142
起订 |
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FDP032N08 1个N沟道 75V 235A 3.2mΩ@10V
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FDP032N08
标记：
封装：TO-220
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onsemi(安森美) |
批号：
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142
起订 |
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SIS412DN-T1-GE3-VB 1个N沟道 30V 18A 25mΩ@4.5V
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SIS412DN-T1-GE3-VB
标记：
封装：DFN-8(3x3)
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
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142
起订 |
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VBA1302 1个N沟道 30V 25A 4mΩ@4.5V
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VBA1302
标记：
封装：SO-8
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
|
142
起订 |
