| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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SUD50N03-10-HXY 1个N沟道 30V 60A 9mΩ@10V
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SUD50N03-10-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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150
起订 |
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AO8814-HXY 2个N沟道 20V 7.5A 16mΩ@2.5V
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AO8814-HXY
标记：
封装：TSSOP-8
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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150
起订 |
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IRFH8318TRPBF 1个N沟道 30V 50A 3.1mΩ@10V
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IRFH8318TRPBF
标记：
封装：PQFN-8(4.9x5.8)
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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150
起订 |
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IRFB7734PBF 1个N沟道 75V 183A 2.8mΩ@10V
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IRFB7734PBF
标记：
封装：TO-220AB
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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150
起订 |
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IPP055N03L G 1个N沟道 30V 50A 5.5mΩ@10V
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IPP055N03L G
标记：
封装：TO-220-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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150
起订 |
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IRF540NS-JSM 1个N沟道 100V 33A 30mΩ@10V
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IRF540NS-JSM
标记：
封装：TO-263
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JSMSEMI(杰盛微) |
批号：
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150
起订 |
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IRF5305STRLPBF-JSM 1个P沟道 60V 35A 55mΩ@10V
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IRF5305STRLPBF-JSM
标记：
封装：TO-263
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JSMSEMI(杰盛微) |
批号：
|
150
起订 |
