| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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HY4504B6 1个N沟道 40V 322A 2mΩ@10V
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HY4504B6
标记：
封装：TO-263-6
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HUAYI(华羿微) |
批号：
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158
起订 |
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SI7415DN-T1-GE3-HXY 60V 20A 90mΩ@4.5V 25W
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SI7415DN-T1-GE3-HXY
标记：
封装：DFN-8L(3x3)
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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158
起订 |
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IPG20N06S2L-50A-HXY 2个N沟道 60V 50A 14mΩ@10V
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IPG20N06S2L-50A-HXY
标记：
封装：DFN-8L(5x6)
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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158
起订 |
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ZXMP4A16K-HXY 1个P沟道 40V 25A 44mΩ@10V
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ZXMP4A16K-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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158
起订 |
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IPP041N04N G 1个N沟道 40V 80A 4.1mΩ@10V
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IPP041N04N G
标记：
封装：TO-220
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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158
起订 |
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SVF20N60F 1个N沟道 600V 20A 280mΩ@10V
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SVF20N60F
标记：
封装：TO-220
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SILAN(士兰微) |
批号：
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158
起订 |
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VBZE10N20 1个N沟道 200V 10A 3W
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VBZE10N20
标记：
封装：TO-252-2
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
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158
起订 |
