| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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AGM312AP 1个N沟道 30V 18A 12mΩ@10V
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AGM312AP
标记：
封装：PDFN-8(3.3x3.3)
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AGM-Semi(芯控源) |
批号：
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160
起订 |
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CJBA3139K 1个P沟道 20V 660mA 520mΩ@4.5V
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CJBA3139K
标记：
封装：DFN-3L(1x0.6)
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CJ(江苏长电/长晶) |
批号：
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160
起订 |
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CMSA100P04 1个P沟道 40V 100A 6.6mΩ@10V
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CMSA100P04
标记：
封装：DFN-8(5x6)
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Cmos(广东场效应半导体) |
批号：
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160
起订 |
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CMSA055N04 1个N沟道 40V 80A 8.3mΩ@4.5V
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CMSA055N04
标记：
封装：DFN-8(5x6)
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Cmos(广东场效应半导体) |
批号：
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160
起订 |
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CMD30N10 1个N沟道 100V 30A 35mΩ
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CMD30N10
标记：
封装：TO-252
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Cmos(广东场效应半导体) |
批号：
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160
起订 |
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CMN2333M 1个P沟道 16V 4A 37mΩ@4.5V
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CMN2333M
标记：
封装：SOT-23-3L
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Cmos(广东场效应半导体) |
批号：
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160
起订 |
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CMN3400BM 1个N沟道 30V 5.8A 35mΩ@10V
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CMN3400BM
标记：
封装：SOT-23-3L
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Cmos(广东场效应半导体) |
批号：
|
160
起订 |
