| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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SQD19P06-60L_GE3-HXY 1个P沟道 60V 30A 33mΩ@10V
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SQD19P06-60L_GE3-HXY
标记: 封装:TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号:
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178 起订 |
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BSC265N10LSF G 1个N沟道 100V 40A 36mΩ@4.5V
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BSC265N10LSF G
标记: 封装:TDSON-8-EP(5x6)
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Infineon(英飞凌) |
批号:
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178 起订 |
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IPN70R900P7S 700V 900mΩ@10V
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IPN70R900P7S
标记: 封装:SOT-223-3
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Infineon(英飞凌) |
批号:
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178 起订 |
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PHB32N06LT,118 1个N沟道 60V 34A 31.5mΩ@4.5V
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PHB32N06LT,118
标记: 封装:D2PAK
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Nexperia(安世) |
批号:
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178 起订 |
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SP10N90TG 900V 10A 1.25Ω@10V 41W
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SP10N90TG
标记: 封装:TO-220F
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Siliup(矽普) |
批号:
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178 起订 |
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STL20N6F7 1个N沟道 60V 20A 5.4mΩ@10V
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STL20N6F7
标记: 封装:VDFN-8-Power
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ST(意法半导体) |
批号:
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178 起订 |
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IPB019N08N3G(TOKMAS) 1个N沟道 85V 220A 2.8mΩ@10V
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IPB019N08N3G(TOKMAS)
标记: 封装:TO-263-7L
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Tokmas(托克马斯) |
批号:
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178 起订 |