| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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SIR836DP-T1-GE3-HXY 1个N沟道 40V 70A 8.5mΩ@10V
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SIR836DP-T1-GE3-HXY
标记：
封装：DFN-8L(5x6)
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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179
起订 |
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SI7850DP-T1-GE3-HXY 1个N沟道 60V 30A 25mΩ@10V
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SI7850DP-T1-GE3-HXY
标记：
封装：DFN-8L(5x6)
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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179
起订 |
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SI4835DDY-T1-GE3-HXY 1个P沟道 30V 11A 16mΩ@10V
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SI4835DDY-T1-GE3-HXY
标记：
封装：SOP-8
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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179
起订 |
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HFDN86501LZ 1个N沟道 60V 3A 85mΩ@10V
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HFDN86501LZ
标记：
封装：SOT-23
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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179
起订 |
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AUIRFR1018E-HXY 1个N沟道 60V 80A 8.3mΩ@10V
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AUIRFR1018E-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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179
起订 |
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SQD50P03-07-HXY 1个P沟道 30V 70A 10mΩ@10V
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SQD50P03-07-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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179
起订 |
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BSP125H6327 1个N沟道 600V 120mA 45Ω@10V
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BSP125H6327
标记：
封装：SOT-223-4
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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179
起订 |
