| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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TPS61050DRCR 1.8MHz~2.2MHz 1 PWM 升压
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TPS61050DRCR
标记: 封装:VSON-10-EP(3x3)
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TI(德州仪器) |
批号:
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197 起订 |
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CMP120N12 1个N沟道 120V 120A 7mΩ@10V
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CMP120N12
标记: 封装:TO-220
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Cmos(广东场效应半导体) |
批号:
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197 起订 |
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CMSL060N15
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CMSL060N15
标记: 封装:TOLL-8
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Cmos(广东场效应半导体) |
批号:
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197 起订 |
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CMS8125B 1个P沟道 25V 18A 7mΩ
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CMS8125B
标记: 封装:SOP-8
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Cmos(广东场效应半导体) |
批号:
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197 起订 |
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HTN2404K 1个N沟道 240V 100mA 14Ω@10V
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HTN2404K
标记: 封装:SOT-23
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号:
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197 起订 |
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CMS052H09P 95V 120A 5.2mΩ@10V 227W
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CMS052H09P
标记: 封装:TO-220
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iCM(创芯微) |
批号:
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197 起订 |
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NCE65T900F 1个N沟道 650V 5A 750mΩ@10V
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NCE65T900F
标记: 封装:TO-220F-3
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NCE(无锡新洁能) |
批号:
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197 起订 |