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IPB029N06N3GATMA1 1个N沟道 60V 120A 3.2mΩ@10V
型号：
IPB029N06N3GATMA1
标记/丝印/代码/打字：
厂家：
Infineon(英飞凌)
批号：
封装：
TO-263-3
整包数量：
最小起批量：
1
技术文档：
询价
库存：
2000
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说明
库存
SPB80P06PG 1个P沟道 60V 80A 23mΩ@10V
SPB80P06PG
标记：
封装：TO-263-3
Infineon(英飞凌)
批号：
2000
起订
IAUT150N10S5N035 1个N沟道 100V 150A 3.5mΩ@10V
IAUT150N10S5N035
标记：
封装：-
Infineon(英飞凌)
批号：
2000
起订
MLD1N06CLT4G-JSM 1个N沟道 60V 20A 45mΩ@4.5V
MLD1N06CLT4G-JSM
标记：
封装：TO-252
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批号：
2000
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AO3402 1个N沟道 30V 4A 110mΩ@2.5V
AO3402
标记：
封装：SOT-23
KEXIN(科信)
批号：
2000
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LMAK50N10 1个N沟道 100V 50A 28mΩ@10V
LMAK50N10
标记：
封装：TO-252
Leiditech(雷卯电子)
批号：
2000
起订
S-LPB3407LT1G
S-LPB3407LT1G
标记：
封装：SOT-23
LRC(乐山无线电)
批号：
2000
起订
MIC94053YC6-TR 1个P沟道 6V 2A 84mΩ@4.5V
MIC94053YC6-TR
标记：
封装：SC-70-6
MICROCHIP(美国微芯)
批号：
2000
起订
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