| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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DMP21D0UT-HXY 1个P沟道 20V 660mA 780mΩ@2.5V
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DMP21D0UT-HXY
标记：
封装：SOT-523
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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230
起订 |
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FTK3139E-HXY 1个P沟道 20V 660mA 780mΩ@2.5V
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FTK3139E-HXY
标记：
封装：SOT-523
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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230
起订 |
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FDD8896-HXY 1个N沟道 30V 80A 6.8mΩ@10V
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FDD8896-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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230
起订 |
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TC6320K6-G 1个N沟道+1个P沟道 200V -55℃~+150℃
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TC6320K6-G
标记：
封装：DFN-8-EP(4x4)
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MICROCHIP(美国微芯) |
批号：
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230
起订 |
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MOT2176J 20V 25A 8.5mΩ@2.5V 13W
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MOT2176J
标记：
封装：PDFN-8L(3x3)
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MOT(仁懋) |
批号：
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230
起订 |
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FDP3632 100V 80A 9mΩ@10V 310W
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FDP3632
标记：
封装：TO-220-3
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onsemi(安森美) |
批号：
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230
起订 |
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PM3400 1个N沟道 30V 5.8A 350mW
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PM3400
标记：
封装：SOT-23-3
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PN SILICON(智晶) |
批号：
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230
起订 |
