| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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HSNN1000L10D 100V 20A 87mΩ@10V 34.7W
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HSNN1000L10D
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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25
起订 |
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ISG0613N04NM6HSCATMA1 40V 299A 0.88mΩ@10V 167W
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ISG0613N04NM6HSCATMA1
标记：
封装：WHITFN-10
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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25
起订 |
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BSC016N04LSGATMA1 40V 100A 1.6mΩ@10V
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BSC016N04LSGATMA1
标记：
封装：TDSON-8
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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25
起订 |
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BSC084P03NS3GATMA1 1个P沟道 30V 14.9A；78.6A 8.4mΩ@10V
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BSC084P03NS3GATMA1
标记：
封装：TDSON-8
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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25
起订 |
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IAUC60N06S5N074ATMA1 1个N沟道 60V 60A 7.4mΩ@10V
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IAUC60N06S5N074ATMA1
标记：
封装：TDSON-8
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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25
起订 |
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BSC0704LSATMA1
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BSC0704LSATMA1
标记：
封装：TDSON-8
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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25
起订 |
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IPDD60R190G7 1个N沟道 650V 190mΩ@10V
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IPDD60R190G7
标记：
封装：HDSOP-10-6.5mm
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Infineon(英飞凌) |
批号：
|
25
起订 |
