| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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FDY100PZ-HXY 1个P沟道 20V 660mA 780mΩ@2.5V
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FDY100PZ-HXY
标记：
封装：SOT-523
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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235
起订 |
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IRF630-HXY 200V 9A 260mΩ@10V
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IRF630-HXY
标记：
封装：TO-220
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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235
起订 |
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BSP373NH6327XTSA1 1个N沟道 100V 1.8A 240mΩ@10V
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BSP373NH6327XTSA1
标记：
封装：SOT-223-4
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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235
起订 |
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MDD210N40P 40V 210A 2.5mΩ@10V 310W
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MDD210N40P
标记：
封装：TO-220C-3L
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MDD(辰达半导体) |
批号：
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235
起订 |
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WNM2021-3/MS 1个N沟道 20V 890mA 320mΩ@1.8V
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WNM2021-3/MS
标记：
封装：SOT-323
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MSKSEMI(美森科) |
批号：
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235
起订 |
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RS2N50C 1个N沟道 500V 2A 6.5Ω@10V
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RS2N50C
标记：
封装：SOT-223
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REASUNOS(瑞森半导体) |
批号：
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235
起订 |
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RS100N100T 100V 100A 7mΩ@10V
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RS100N100T
标记：
封装：TO-220
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REASUNOS(瑞森半导体) |
批号：
|
235
起订 |
