| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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HSH3018B 1个N沟道 30V 205A 2.4mΩ@10V
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HSH3018B
标记：
封装：TO-263
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HUASHUO(华朔) |
批号：
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244
起订 |
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HY3810B 1个N沟道 100V 180A 6.5mΩ@10V
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HY3810B
标记：
封装：TO-263-2
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HUAYI(华羿微) |
批号：
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244
起订 |
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IPD85P04P4L06ATMA2-HXY 40V 80A 8.2mΩ@10V 81W
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IPD85P04P4L06ATMA2-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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244
起订 |
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IPD082N10N3G 1个N沟道 100V 80A 8.2mΩ@10V
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IPD082N10N3G
标记：
封装：TO-252-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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244
起订 |
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IPD082N10N3G 1个N沟道 100V 80A 8.2mΩ@10V
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IPD082N10N3G
标记：
封装：TO-252-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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244
起订 |
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FDP030N06B-F102 1个N沟道 60V 120A 3.1mΩ@10V
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FDP030N06B-F102
标记：
封装：TO-220
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onsemi(安森美) |
批号：
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244
起订 |
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SP47M65TF 650V 47A 70mΩ@10V 391W
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SP47M65TF
标记：
封装：TO-247
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Siliup(矽普) |
批号：
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244
起订 |
