| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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HFDA28N50F 1个N沟道 500V 28A 150mΩ@10V
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HFDA28N50F
标记：
封装：TO-3P
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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29
起订 |
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HFQA28N50 500V 28A 180mΩ@10V 312.5W
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HFQA28N50
标记：
封装：TO-3P
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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29
起订 |
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FDA24N50F-HXY 500V 28A 180mΩ@10V 312.5W
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FDA24N50F-HXY
标记：
封装：TO-3P
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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29
起订 |
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FDA20N50-HXY 500V 25A 240mΩ@10V 300W
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FDA20N50-HXY
标记：
封装：TO-3P
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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29
起订 |
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FDA20N50F-HXY 500V 25A 240mΩ@10V 300W
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FDA20N50F-HXY
标记：
封装：TO-3P
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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29
起订 |
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IST026N10NM5AUMA1 1个N沟道 100V 248A 3.5mΩ@6V
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IST026N10NM5AUMA1
标记：
封装：HSOF-5
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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29
起订 |
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BSP322PH6327 1个P沟道 100V 1A 1Ω@4.5V
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BSP322PH6327
标记：
封装：SOT-223-4
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Infineon(英飞凌) |
批号：
|
29
起订 |
