| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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IPB60R360P7 1个N沟道 650V 26A 360mΩ@10V
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IPB60R360P7
标记：
封装：TO-263-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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30
起订 |
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IPB120N06S4-03 1个N沟道 60V 120A 2.8mΩ@10V
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IPB120N06S4-03
标记：
封装：TO-263-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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30
起订 |
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IMYH200R100M1HXKSA1 2kV 26A 131mΩ@18V 217W
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IMYH200R100M1HXKSA1
标记：
封装：-
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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30
起订 |
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IV2Q06025T4Z 650V 99A 33mΩ@18V 454W
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IV2Q06025T4Z
标记：
封装：TO-247-4
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inventchip(瞻芯电子) |
批号：
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30
起订 |
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AO4419 1个P沟道 30V 9.7A 23.5mΩ@4.5V
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AO4419
标记：
封装：SOP-8
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JSMSEMI(杰盛微) |
批号：
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30
起订 |
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IXTK90N25L2-JSM 1个N沟道 250V 90A 30mΩ@10V
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IXTK90N25L2-JSM
标记：
封装：TO-264
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JSMSEMI(杰盛微) |
批号：
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30
起订 |
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IRF830APBF 1个N沟道 550V 4A 2.6Ω@10V
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IRF830APBF
标记：
封装：TO-220
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JSMSEMI(杰盛微) |
批号：
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30
起订 |
