| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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FDN358P-HXY 1个P沟道 30V 4.1A 56mΩ@10V
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FDN358P-HXY
标记：
封装：SOT-23
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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40
起订 |
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AOD482-HXY 1个N沟道 100V 30A 48mΩ@10V
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AOD482-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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40
起订 |
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IRFR3411TRPBF-HXY 1个N沟道 100V 30A 48mΩ@10V
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IRFR3411TRPBF-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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40
起订 |
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HT7202 1个N沟道 80V 400A 1.6mΩ@10V
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HT7202
标记：
封装：TOLL
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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40
起订 |
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IQDH88N06LM5CGATMA1 60V 447A 1.24mΩ@4.5V 333W
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IQDH88N06LM5CGATMA1
标记：
封装：TTFN-9
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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40
起订 |
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IAUA170N10S5N031AUMA1 1个N沟道 100V 170A 3.1mΩ@10V
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IAUA170N10S5N031AUMA1
标记：
封装：HSOF-5
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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40
起订 |
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IRFH8324TRPBF 1个N沟道 30V 23A；90A 4.1mΩ@10V
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IRFH8324TRPBF
标记：
封装：PQFN-8(5x6)
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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40
起订 |
